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HSMS-280M-TR2G 发布时间 时间:2025/9/15 7:45:37 查看 阅读:8

HSMS-280M-TR2G是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)制造的高速肖特基二极管,专为高频和高速开关应用而设计。该器件采用小型表面贴装封装,适用于各种电子设备中的整流、箝位和信号检测功能。

参数

类型:肖特基二极管
  最大反向电压:30V
  最大平均整流电流:200mA
  峰值正向电流:500mA
  正向电压降:0.35V(典型值)
  反向漏电流:100nA(最大值)
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:SOT-23

特性

HSMS-280M-TR2G具有多项优异的电气和物理特性。其高速性能使得该器件能够在高频电路中高效工作,同时低正向电压降减少了能量损耗,提高了系统效率。此外,该肖特基二极管的反向漏电流较低,在高温环境下仍能保持稳定的工作性能,确保电路的可靠性。
  器件采用SOT-23封装,体积小巧,便于在空间受限的电路设计中使用。该封装还具有良好的热稳定性和机械强度,能够适应多种工作环境。HSMS-280M-TR2G的结构设计确保了其在高频应用中的稳定性和一致性,使其成为通信设备、射频模块、电源管理系统等应用的理想选择。

应用

该器件广泛应用于通信设备、射频和微波电路、电源管理模块、信号检测电路以及各种需要高速整流和箝位功能的电子系统中。由于其高频特性和低损耗,HSMS-280M-TR2G常用于无线基站、测试测量设备、消费类电子产品和工业控制系统。

替代型号

HSMS-285C, HSMS-286B, BAT64-03W, SMS3904

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HSMS-280M-TR2G参数

  • 数据列表HSMS-280x
  • 标准包装10,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭RF 二极管
  • 系列-
  • 二极管类型肖特基 - 2 对共阴极
  • 电压 - 峰值反向(最大)70V
  • 电流 - 最大1A
  • 电容@ Vr, F2pF @ 0V,1MHz
  • 电阻@ Vr, F35 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大)-
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装SOT-363
  • 包装带卷 (TR)