时间：2025/9/15 20:27:03
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HSMS-2803-TR2G 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）推出的双共阳极肖特基二极管混合信号二极管阵列，专为高频和高速开关应用设计。该器件采用了HSMS（High-Speed Monolithic Switching）技术，具备快速开关能力和低正向压降，适用于各种射频（RF）检波、信号切换、逻辑功能以及高速整流场合。HSMS-2803-TR2G 采用表面贴装的SOT-23封装，具有小型化、高可靠性以及良好的热稳定性，非常适合在通信、测试设备、工业控制和消费电子中使用。
类型：肖特基二极管对
配置：双共阳极
最大正向电流（IF）：20 mA
峰值反向电压（VRM）：5 V
正向压降（VF）：典型值0.35 V（在10 mA时）
反向漏电流（IR）：最大100 nA（在5 V时）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：SOT-23
安装类型：表面贴装
HSMS-2803-TR2G 的核心特性在于其高速开关性能和低正向压降，这使其在高频信号处理和高速逻辑应用中表现出色。该器件的双共阳极配置允许两个独立的阴极端子共享一个公共阳极，非常适合用于构建逻辑门电路或进行信号选择。由于采用了单片集成工艺，HSMS-2803-TR2G 在性能一致性、热稳定性和可靠性方面优于分立二极管方案。此外，该器件的SOT-23封装形式非常小巧，便于在高密度PCB布局中使用，同时支持自动贴片工艺，适合大规模生产。其低功耗特性也使其在电池供电设备中具有良好的应用前景。
在电气特性方面，HSMS-2803-TR2G 具有较低的正向压降（典型值为0.35 V），这有助于减少功耗并提高能效。同时，其反向漏电流极低（最大为100 nA），确保在高温环境下仍能保持良好的稳定性。该器件的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，适用于各种严苛环境条件下的应用。
HSMS-2803-TR2G 广泛应用于需要高速开关和低功耗特性的电子系统中。常见的应用包括射频检波器电路、高速信号整流、多路复用器、逻辑门电路、高速开关电路、测试和测量设备、无线通信模块、工业控制系统以及消费类电子产品。由于其良好的高频性能和可靠性，该器件也常用于射频前端模块中的信号路径控制和检测功能。在一些低电压和低功耗要求的便携式设备中，HSMS-2803-TR2G 可作为高效能的整流和信号处理元件使用。
HSMS-2850, HSMS-2852, BAT54系列
