类型：NPN双极型晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：15 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Ptot）：200 mW
　　截止频率（fT）：1 GHz
　　增益带宽积（fT）：1 GHz
　　电流增益（hFE）：典型值100（在Ic=2 mA, Vce=5 V）
　　封装类型：SOT-343

HSMRC170CATQ 具备多项优异的电气性能和物理特性。首先，其高截止频率（fT）达到1 GHz，使其非常适合用于高频放大器和射频电路设计。其次，该晶体管的电流增益（hFE）在标准工作条件下可达到100左右，确保了良好的信号放大能力。此外，HSMRC170CATQ 的低噪声系数使其在低噪声前置放大器中表现出色。
　　在封装方面，HSMRC170CATQ 采用SOT-343封装，具有较小的尺寸和良好的散热性能，适用于表面贴装工艺，便于在高密度PCB设计中使用。该封装还具备较高的机械强度和环境适应性，能够在-55°C至+150°C的温度范围内稳定工作。
　　该晶体管的工作温度范围宽广，适用于工业级和通信设备中的严苛环境。其最大集电极电流为100 mA，最大集电极-发射极电压为15 V，能够满足大多数中低功率放大应用的需求。此外，HSMRC170CATQ 的最大功耗为200 mW，在正常工作条件下不易过热，具备较高的可靠性。

HSMRC170CATQ 主要应用于射频（RF）和中频（IF）放大器电路中，特别适合用于无线通信系统、基站设备、测试仪器、数据通信设备等对高频性能要求较高的场合。由于其低噪声和高增益特性，它常被用作接收机前端放大器，以提高系统的信号灵敏度。
　　此外，该晶体管还可用于音频放大器、电压调节器、开关电路和模拟信号处理电路。在无线基础设施中，HSMRC170CATQ 通常用于构建低噪声放大器（LNA）和混频器电路。在消费类电子产品中，如无线路由器、智能家电和工业控制设备中，它也广泛用于射频信号传输和处理。
　　由于其SOT-343封装的小型化设计，HSMRC170CATQ 也非常适合用于空间受限的便携式电子设备中，如智能手机、平板电脑和穿戴设备等。

HSMRC170CATQ 的替代型号包括 HSMRC170CAT、BFQ19、BFQ27、2N3904、2N2222 等。