类型：肖特基二极管
　　工作频率范围：DC ~ 10 GHz
　　最大正向电流（IF）：20 mA
　　峰值反向电压（VRM）：15 V
　　正向电压降（VF）：约280 mV（在IF = 1 mA时）
　　反向漏电流（IR）：≤ 10 nA（在VR = 10 V时）
　　封装类型：SOT-23（SC-59）
　　温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-65°C ~ +150°C
　　焊接温度：260°C（最大，持续10秒）

HSMP286E-TR1G 作为一款高性能的射频肖特基二极管，具备多项优良特性，适用于高频和高稳定性要求的应用场景。首先，其宽频率响应范围（DC至10 GHz）使其在多种射频前端设计中具有广泛的适用性，包括接收机和发射机中的检波、混频和开关电路。其次，该器件采用GaAs材料，具有较低的正向压降（在1 mA时典型值为280 mV），有助于降低功耗并提高整流效率。此外，HSMP286E-TR1G 的反向漏电流极低（在10 V反向电压下不超过10 nA），保证了其在高温和高阻抗环境下的稳定工作。
　　该二极管的封装形式为SOT-23，是一种小型表面贴装封装，适合自动化贴片工艺和高密度PCB布局。这种封装不仅节省空间，而且具有良好的热稳定性和机械强度。器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，可在恶劣的环境条件下稳定运行，适用于工业级和汽车电子系统。
　　另外，HSMP286E-TR1G 具有快速恢复时间，使其在高频信号整流和检波应用中表现出色。它常用于功率检测电路中，例如在无线基站、RFID系统和射频测试设备中，作为信号强度检测的组成部分。其低电容特性（典型值为0.3 pF）也有助于减少高频信号传输中的插入损耗。

HSMP286E-TR1G 肖特基二极管广泛应用于无线通信系统中的射频和微波电路，例如蜂窝基站、Wi-Fi接入点、卫星通信设备等。在这些系统中，该器件常用于信号检波、混频、频率倍增和低功耗整流。此外，它还被用于RFID读写器、射频传感器和测试测量设备中的功率检测模块。在汽车电子领域，该二极管可用于车载通信模块和雷达系统中的信号处理部分。由于其高可靠性和小型化设计，HSMP286E-TR1G 也适用于便携式通信设备和嵌入式无线模块。

HSMS286B-TR1G, HSMS285C-TR1G, BAR64-03W, BB109S