HSMN-C110 时间：2025/9/24 12:01:58 阅读：10

HSMN-C110是一款由Hamlin（现属于TE Connectivity）生产的表面贴装型多层陶瓷电容器（MLCC），主要用于电子电路中的滤波、耦合、去耦和旁路等应用。该器件采用标准的EIA 0805封装尺寸（2.0mm x 1.25mm），具备良好的温度稳定性和高频性能，适用于多种工业、消费类电子及通信设备。HSMN-C110具有较高的可靠性，在严苛的工作环境下仍能保持稳定的电气性能。该电容器采用镍阻挡层端接结构，增强了抗焊裂能力和耐潮性，适合回流焊工艺。其介质材料为X7R或类似类型的陶瓷，能够在-55°C至+125°C的宽温度范围内保持电容值变化在±15%以内，满足大多数中等精度应用场景的需求。
　　HSMN-C110广泛应用于电源管理模块、DC-DC转换器、模拟信号处理电路以及高频数字系统中，作为去耦和噪声抑制元件使用。由于其小型化设计和优异的ESR/ESL特性，该器件有助于提升PCB布局密度并改善系统整体电磁兼容性（EMC）。此外，该产品符合RoHS指令要求，无铅且环保，适用于现代绿色电子产品制造流程。制造商提供了完整的测试数据和可靠性报告，确保批量使用的稳定性与一致性。

参数

型号：HSMN-C110
　　封装尺寸：0805（EIA）
　　电容值：1.0μF
　　额定电压：16V DC
　　电容容差：±10%
　　温度特性：X7R（-55°C 至 +125°C，ΔC/C ≤ ±15%）
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　介质材料：陶瓷（X7R类）
　　端接类型：镍阻挡层（Ni-barrier）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　无铅：是
　　符合RoHS：是

特性

HSMN-C110采用先进的多层陶瓷制造工艺，具有出色的电性能稳定性和机械强度。其内部电极采用薄层印刷技术，层数较多，可在较小体积内实现较高的电容密度，特别适合空间受限的应用场景。该器件的X7R介电材料确保了在宽温度范围内电容值的变化控制在±15%以内，相较于Z5U或Y5V等材料具有更优的温度稳定性，适用于对电容稳定性有一定要求但无需NP0/C0G级别超高精度的场合。
　　该电容器的端子结构采用镍阻挡层设计，有效防止银离子迁移，并提高抗硫化能力，从而增强器件在恶劣环境下的长期可靠性。同时，这种结构也提升了焊接可靠性，减少因热应力引起的焊点开裂问题，尤其适应于多次回流焊或热循环操作。HSMN-C110具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其在高频去耦应用中表现良好，能够快速响应瞬态电流变化，稳定电源电压。
　　在可靠性方面，HSMN-C110经过严格的寿命测试和环境试验，包括高温高湿偏压（THB）、温度循环、耐焊接热等，确保其在复杂工况下长期稳定运行。其结构设计优化了应力分布，降低了陶瓷体破裂的风险，提高了抗机械冲击和振动的能力。此外，该器件具备良好的直流偏压特性，即在接近额定电压工作时，电容值下降幅度相对较小，优于许多同类产品，这对于高密度电源去耦网络尤为重要。
　　由于采用标准化封装和编带包装形式，HSMN-C110可直接用于自动化贴片生产线，兼容高速SMT设备，提升生产效率并降低制造成本。整体而言，该器件在性能、可靠性和可制造性之间实现了良好平衡，是中高端电子设备中常用的被动元件之一。

应用

HSMN-C110广泛应用于各类需要中等精度、中等容量滤波和去耦功能的电子系统中。在电源管理系统中，常用于DC-DC转换器的输入输出滤波电容，帮助平滑电压波动并减少纹波噪声，提升电源效率和稳定性。在模拟电路中，它可用于信号耦合与去耦，隔离直流分量的同时传递交流信号，适用于音频放大器、传感器接口和运算放大器周边电路。
　　在数字系统中，尤其是微处理器、FPGA和ASIC等高速逻辑器件的供电网络中，HSMN-C110作为局部去耦电容，放置在芯片电源引脚附近，用以吸收高频瞬态电流，防止电源电压跌落导致系统误动作或信号完整性下降。其低ESR和小尺寸特点使其成为紧凑型便携设备的理想选择，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。
　　此外，该器件也适用于工业控制设备、汽车电子模块（非引擎舱）、通信基础设施（如基站板卡、光模块）以及医疗电子设备中。在这些应用中，HSMN-C110不仅提供基本的储能和滤波功能，还通过其稳定的温度特性和高可靠性保障系统长时间运行的安全性。对于需要符合环保法规的产品设计，其RoHS合规性和无铅端接结构进一步增强了适用性。