时间：2025/9/16 5:39:01
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HSMN-A430-U50M2是一款由Hyundai（现代）生产的工业级NAND闪存模块，专为需要高可靠性和高性能的应用场景设计。该模块采用MLC（多层单元）NAND闪存技术，具备较高的存储密度和较长的使用寿命，适合在工业控制、自动化设备、数据存储系统等环境中使用。HSMN-A430-U50M2具备50MB/s的读写速度，容量为430MB，适用于对数据读写速度和稳定性有较高要求的设备。
容量：430MB
接口类型：SATA
读取速度：50MB/s
写入速度：50MB/s
闪存类型：MLC NAND
工作温度范围：0°C 至 70°C
存储温度范围：-40°C 至 85°C
HSMN-A430-U50M2 NAND闪存模块采用高性能的MLC NAND技术，具有较高的数据存储可靠性和较长的使用寿命。其50MB/s的读写速度能够满足大多数工业应用对数据传输效率的需求。模块设计注重稳定性，能够在较宽的温度范围内正常运行，适应各种严苛的工业环境。此外，该模块采用了先进的错误校正和磨损均衡技术，有效延长了使用寿命并提高了数据完整性。HSMN-A430-U50M2还具备良好的抗震和抗干扰能力，确保在复杂电磁环境中稳定工作。
该模块支持标准SATA接口，兼容性好，可轻松集成到现有系统中。此外，其低功耗设计有助于减少系统整体能耗，提高设备的能效表现。HSMN-A430-U50M2还支持多种安全功能，如数据加密和访问控制，确保数据在存储和传输过程中的安全性。
HSMN-A430-U50M2 NAND闪存模块广泛应用于工业控制、自动化设备、嵌入式系统、数据采集与存储设备、通信设备等领域。其高可靠性和稳定性使其成为工业计算机、POS终端、医疗设备、车载信息娱乐系统等关键应用的理想选择。
HSMN-A430-U50M2的替代型号包括HSMN-A430-U50M1和HSMN-A430-U50A2，这些型号在性能和功能上相似，可以根据具体需求进行选择。
