制造商：Broadcom Limited
　　产品系列：HSME
　　器件类型：四通道数字光耦合器
　　数据速率：最高10 Mbps
　　通道数：4
　　输入正向电流：IF = 10 mA（典型值）
　　输入反向电压：VR = 5 V
　　输出侧供电电压：VCC = 2.7 V 至 5.5 V
　　传播延迟：tpLH / tpHL ≈ 1.5 μs（典型值）
　　上升/下降时间：tr / tf ≤ 0.8 μs
　　隔离电压：5000 VRMS（1分钟，UL 1577）
　　工作温度范围：-40°C 至 +105°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +125°C
　　封装类型：5-pin SOIC（Surface Mount）
　　绝缘材料：聚酰亚胺（Polyimide）隔离层
　　安全认证：UL1577、CSA Component Acceptance Notice #5、IEC/EN/DIN EN 60747-5-5（VDE0884-5）
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：≥ 15 kV/μs（典型值）

HSME-A100-M3PJ1具备出色的电气隔离性能和高速信号传输能力，使其在复杂电磁环境中仍能保持稳定可靠的信号传递。其核心优势之一在于采用了先进的聚酰亚胺（Polyimide）材料作为输入与输出之间的绝缘介质，这种材料不仅具有极高的介电强度，还能有效抑制高频噪声的耦合，从而显著提升系统的共模瞬态抗扰度（CMTI），典型值可达15kV/μs以上。这意味着即使在快速电压变化或存在强干扰的工业环境中，该光耦也能避免误触发，保障控制信号的完整性。
　　该器件的四个独立通道设计允许用户同时隔离多路数字信号，例如在PLC模块、电机驱动器或多相逆变器控制系统中，可用于隔离PWM信号、状态反馈信号或通信总线信号。每个通道均经过精确匹配和老化筛选，确保通道间的时间一致性，减少信号偏移带来的时序问题。此外，HSME-A100-M3PJ1的LED驱动灵敏度较高，在较低的输入电流（如5–10mA）下即可实现正常导通，有助于降低前端驱动电路的功耗，特别适用于采用低功耗微控制器或FPGA直接驱动的应用场景。
　　在长期可靠性方面，HSME-A100-M3PJ1继承了Broadcom在光电器件领域的制造工艺优势，采用气密封装技术和高耐久性材料，确保在高温、高湿及频繁开关条件下仍能维持稳定的性能表现。器件的老化测试数据显示其MTBF（平均无故障时间）超过百万小时，适合需要长时间连续运行的关键系统。同时，该光耦支持宽电压输出侧供电（2.7V–5.5V），可兼容3.3V和5V逻辑系统，增强了其在不同平台间的通用性。其小型化的SOIC封装不仅节省PCB空间，还便于自动化贴片生产，提高了整机制造效率。

HSME-A100-M3PJ1广泛应用于需要高可靠性和电气隔离的工业与通信系统中。典型应用场景包括工业可编程逻辑控制器（PLC）中的数字I/O模块，用于将现场传感器或执行器信号与主控单元进行隔离，防止地环路干扰或高压窜入损坏核心处理器。在交流伺服驱动器和变频器中，该器件可用于隔离来自控制器的PWM控制信号，确保功率级与控制级之间的安全隔离，提高系统的抗干扰能力和运行稳定性。
　　在开关电源（SMPS）和DC-DC转换器中，HSME-A100-M3PJ1常用于反馈回路或同步整流控制信号的隔离传输，帮助实现闭环稳压控制。其高速响应特性使得它能够适应高频开关电源的需求，减少控制延迟，提升电源效率。此外，在医疗电子设备中，由于对患者安全和电气安全有严格要求，该光耦被用于隔离监测信号或控制指令，以满足IEC 60601等医疗安全标准。
　　通信基础设施领域也是其重要应用方向，例如在基站电源模块或光网络终端设备中，用于隔离RS-485、CAN或SPI等通信接口，防止远距离传输引入的地电位差造成设备损坏。同时，在新能源领域，如光伏逆变器和电动汽车充电桩中，HSME-A100-M3PJ1可用于隔离电池管理系统（BMS）与主控单元之间的通信信号，保障高压直流母线与低压控制电路之间的安全隔离。其工业级温度范围和高抗扰度特性也使其适用于恶劣环境下的户外设备。

HCPL-4503
　　6N137
　　ACPL-M72T
　　TLP2368