HSM221TR 时间：2025/9/7 10:23:44 阅读：4

HSM221TR 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款 MOSFET 采用高密度技术设计，适用于多种高功率应用，如电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等。HSM221TR 采用热增强型表面贴装封装，有助于提高散热效率，从而在高电流工作条件下保持稳定性能。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极电流（ID）：60A
　　漏极-源极电压（VDS）：30V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(ON)）：5.5mΩ（最大值，VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-252（DPak）

特性

HSM221TR 具有低导通电阻特性，这有助于降低导通状态下的功率损耗，从而提高整体系统效率。该器件的高电流承载能力使其适用于高功率密度设计，同时其封装设计支持良好的热管理，从而确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
　　此外，HSM221TR 具备较高的耐用性和可靠性，能够承受较高的瞬态电压和电流冲击。其 ±20V 的栅极-源极电压耐受能力允许在更宽的控制范围内运行，适用于各种 PWM（脉宽调制）控制应用。
　　该 MOSFET 的封装形式为 TO-252（也称为 DPak），这种封装不仅便于表面贴装工艺，还提供了较好的散热性能，适合在紧凑型 PCB 设计中使用。HSM221TR 的高效率和高可靠性使其成为工业电源、汽车电子系统和电池供电设备中的理想选择。

应用

HSM221TR 主要应用于需要高效率和高可靠性的功率管理系统中。其典型应用包括但不限于 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制设备。
　　在汽车电子领域，HSM221TR 可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及车身控制模块等。此外，它也适用于消费类电子产品中的高功率开关应用，如智能电源插座、高功率 LED 驱动器等。
　　由于其良好的热管理和低导通电阻特性，HSM221TR 也可用于需要高效率的可再生能源系统，如太阳能逆变器和储能系统。