时间：2025/9/7 18:04:34
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HSM123TR是一款由Rohm Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于电源管理和开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及工业控制电路等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（Id）：120A（最大）
漏极-源极电压（Vds）：30V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大5.3mΩ（在Vgs=10V时）
功耗（Pd）：120W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
HSM123TR采用先进的沟槽结构技术，使导通电阻极低，从而减少功率损耗并提高效率。其高电流承载能力和低Rds(on)特性使其在高功率密度应用中表现出色。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，适用于高可靠性系统。HSM123TR的高速开关特性减少了开关损耗，从而提高了整体系统效率。该器件的封装设计有助于有效散热，确保长时间工作的稳定性。
该MOSFET的栅极驱动电压范围宽广，支持常见的10V至12V驱动电压，便于与多种驱动器和控制器配合使用。其坚固的结构设计和良好的抗雪崩能力也增强了器件在高压瞬态环境下的耐用性。此外，HSM123TR符合RoHS标准，无铅环保，适用于现代绿色电子设备。
HSM123TR常用于DC-DC降压/升压转换器、同步整流电路、电机驱动器、负载开关、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备以及高功率便携式电子设备中的功率控制部分。
SiSS123N, IPB013N03L, FDBL0150N03, NVTFS5C471NL
