HSK110TL 时间：2025/9/7 9:35:24 阅读：26

HSK110TL是一款由Toshiba（东芝）公司生产的N沟道功率MOSFET，适用于高效率电源转换系统。这款MOSFET采用先进的沟槽式技术，具有较低的导通电阻和出色的热性能，适合用于DC-DC转换器、电池管理系统以及电源管理模块等应用。

参数

类型：N沟道
　　最大漏极电流：100A
　　最大漏极-源极电压：30V
　　最大栅极-源极电压：20V
　　导通电阻（Rds(on)）：5.5mΩ
　　栅极电荷：47nC
　　工作温度范围：-55°C至175°C

特性

HSK110TL采用了东芝先进的沟槽式MOSFET技术，使得导通电阻非常低，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。
　　该器件的封装设计优化了热性能，能够有效散热，确保在高负载条件下依然保持稳定运行。
　　其高电流承载能力与低导通电阻相结合，使其非常适合用于需要高效率和高功率密度的应用场景。
　　此外，HSK110TL具有良好的短路耐受能力和较高的可靠性，能够在严苛的工业环境中长期使用。
　　由于其快速开关特性，该MOSFET能够减少开关损耗，提高整体系统性能。

应用

HSK110TL广泛应用于各种电源管理系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关以及电池管理系统。
　　在服务器和电信设备的电源模块中，HSK110TL可以作为主开关器件，提供高效的电能转换。
　　此外，它还适用于汽车电子系统，如车载充电器和电池管理系统，以满足高可靠性和高性能的需求。
　　在工业自动化设备中，HSK110TL可用于驱动电机、继电器和各种高功率负载，提供稳定的开关控制。