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HSK110TL 发布时间 时间:2025/9/7 9:35:24 查看 阅读:5

HSK110TL是一款由Toshiba(东芝)公司生产的N沟道功率MOSFET,适用于高效率电源转换系统。这款MOSFET采用先进的沟槽式技术,具有较低的导通电阻和出色的热性能,适合用于DC-DC转换器、电池管理系统以及电源管理模块等应用。

参数

类型:N沟道
  最大漏极电流:100A
  最大漏极-源极电压:30V
  最大栅极-源极电压:20V
  导通电阻(Rds(on)):5.5mΩ
  栅极电荷:47nC
  工作温度范围:-55°C至175°C

特性

HSK110TL采用了东芝先进的沟槽式MOSFET技术,使得导通电阻非常低,从而减少了导通损耗,提高了系统效率。
  该器件的封装设计优化了热性能,能够有效散热,确保在高负载条件下依然保持稳定运行。
  其高电流承载能力与低导通电阻相结合,使其非常适合用于需要高效率和高功率密度的应用场景。
  此外,HSK110TL具有良好的短路耐受能力和较高的可靠性,能够在严苛的工业环境中长期使用。
  由于其快速开关特性,该MOSFET能够减少开关损耗,提高整体系统性能。

应用

HSK110TL广泛应用于各种电源管理系统,包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关以及电池管理系统。
  在服务器和电信设备的电源模块中,HSK110TL可以作为主开关器件,提供高效的电能转换。
  此外,它还适用于汽车电子系统,如车载充电器和电池管理系统,以满足高可靠性和高性能的需求。
  在工业自动化设备中,HSK110TL可用于驱动电机、继电器和各种高功率负载,提供稳定的开关控制。

替代型号

SiR110DP, IPW90R120C3, HSK111TL

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