时间：2025/8/13 18:07:32
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HS6210F-T3M是一款由Hsinix Semiconductor生产的低功耗CMOS静态随机存取存储器（SRAM），采用先进的CMOS技术制造，具有高速读写能力和较低的功耗。该器件主要用于需要高速数据存储和访问的应用场合，例如嵌入式系统、工业控制设备和通信设备。HS6210F-T3M具有标准的异步SRAM接口，兼容多种微处理器和控制器。该芯片采用小型封装，适用于空间受限的设计场景。
容量：128Kbit
组织方式：16K x 8
工作电压：2.3V 至 3.6V
最大访问时间：55ns
封装类型：TSOP
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
封装引脚数：54引脚
功耗：典型值约10mA（待机模式下低于10μA）
读取电流：最大150mA
写入电流：最大180mA
输入/输出电平：CMOS兼容
HS6210F-T3M SRAM芯片具有多个显著特性，适用于多种应用环境。其高速访问时间为55ns，可满足高性能系统的数据存取需求。芯片支持低电压操作（2.3V至3.6V），适应不同的电源管理方案，同时降低功耗。在待机模式下，电流消耗低于10μA，有助于延长电池供电设备的使用寿命。
该SRAM芯片具备标准的异步接口，兼容多种微处理器和控制器，便于集成到不同系统中。其54引脚TSOP封装不仅节省空间，还适用于高密度PCB布局。HS6210F-T3M支持读写操作，并具有良好的抗干扰能力，确保数据的可靠性。
HS6210F-T3M SRAM芯片广泛应用于需要高速、低功耗存储解决方案的系统中。常见应用包括工业控制设备（如PLC和自动化设备）、嵌入式系统（如智能仪表和数据采集设备）、通信模块（如路由器和交换机）以及便携式电子产品（如手持终端和智能穿戴设备）。由于其高速读写能力和低功耗特性，该芯片特别适用于需要频繁存取数据且对能耗敏感的场景。此外，它还可用于图像处理设备、测试仪器以及汽车电子系统中，确保稳定的数据存储和快速响应。
HS6210F-T3MC, CY62107VLL-55PVC, IS62LV1028-55TLI, A6210F-T3M
