HS50N06DA是一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。其封装形式为SOT-23,适合在紧凑型设计中使用。
该MOSFET的主要特点是能够以较低的功耗实现高效的功率转换,同时具备出色的可靠性和稳定性。其额定电压为60V,适用于多种低压应用场合。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:1.8A
导通电阻:180mΩ
栅极阈值电压:1.5V~3.5V
工作结温范围:-55℃~150℃
封装形式:SOT-23
HS50N06DA具有以下主要特性:
1. 低导通电阻:该器件的导通电阻仅为180mΩ,有助于降低功耗并提高系统效率。
2. 小型封装:采用SOT-23封装,节省PCB空间,非常适合对尺寸要求严格的便携式设备。
3. 高开关速度:由于其较低的输入电容和输出电容,HS50N06DA可以实现快速的开关操作,减少开关损耗。
4. 良好的热性能:即使在较高电流和温度条件下,也能保持稳定的性能。
5. 宽工作温度范围:支持从-55℃到150℃的工作结温,适应各种环境条件。
HS50N06DA广泛用于以下领域:
1. 开关电源:作为功率开关,用于DC-DC转换器和稳压器。
2. 电机驱动:控制小型直流电机或步进电机的运行。
3. 负载开关:实现负载的快速接通和断开,保护电路免受过流或短路的影响。
4. 电池管理:用于电池保护电路,防止过充或过放。
5. 消费类电子产品:如手机充电器、平板电脑适配器等。
6. 工业控制:适用于各种工业自动化设备中的功率控制部分。
AO3400A, IRLML6402TRPBF, FDS8449