您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > HS1J

HS1J 发布时间 时间:2025/7/12 4:11:19 查看 阅读:11

HS1J是一种高灵敏度的霍尔效应传感器芯片,广泛应用于需要检测磁场变化的场合。该芯片通过霍尔效应原理将磁场强度的变化转化为电信号输出,具有体积小、功耗低、响应快等特点。HS1J采用小型SOT-23封装形式,便于在各种电路板上安装和使用。

参数

工作电压:2.5V~6V
  静态电流:小于1mA
  感应灵敏度:5mT(典型值)
  输出形式:数字开关量输出
  工作温度范围:-40℃~+85℃
  封装形式:SOT-23

特性

HS1J的主要特性包括其高灵敏度的磁场检测能力,能够精准地感知微弱磁场的变化。芯片内部集成了稳压器、霍尔电压发生器、信号放大器、施密特触发器以及输出驱动等模块,从而实现从磁场检测到电信号输出的一体化功能。
  由于其超低功耗设计,HS1J非常适合电池供电的应用场景。此外,它还具备良好的抗干扰性能,能够在复杂的电磁环境中保持稳定运行。
  HS1J的输出为数字开关量信号,能够直接与微控制器或其他数字逻辑电路连接,无需额外的信号调理电路。这大大简化了系统设计并降低了成本。

应用

HS1J被广泛用于各类需要非接触式位置检测或速度检测的场合,例如电动车窗开关、电子锁、无刷电机转速检测、流量计以及家用电器中的各种位置传感器等。
  具体应用领域包括但不限于:
  1. 汽车电子:如车门开关检测、座椅调节位置检测。
  2. 工业控制:如无刷直流电机换向、接近开关。
  3. 家用电器:如洗衣机门锁检测、冰箱门开关检测。
  4. 消费电子:如手机翻盖检测、笔记本电脑开合角度检测。

替代型号

DHI1406, A1160

HS1J推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

HS1J资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载
  • HS1J
  • 1.0 AMP. High Efficient Surface Moun...
  • TSC
  • 阅览

HS1J参数

  • 制造商Taiwan Semiconductor
  • 产品种类整流器
  • 产品Ultra Fast Recovery Rectifiers
  • 配置Single
  • 反向电压600 V
  • 正向电压下降1.7 V
  • 恢复时间75 ns
  • 正向连续电流1 A
  • 最大浪涌电流30 A
  • 反向电流 IR5 uA
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SMA
  • 封装Reel
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 最小工作温度- 55 C
  • 工厂包装数量7500
  • 零件号别名F2