HRV103BTRF-E-HS是一款高压MOSFET晶体管,专为高电压应用设计。该器件采用TOLL封装形式,具有极低的导通电阻和优秀的开关性能,适合用于开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等高效率应用场景。
该器件由STMicroelectronics制造,主要特点是能够在高电压环境下保持稳定的性能,同时具备出色的热管理和可靠性。
最大漏源电压:800V
连续漏极电流:2.5A
导通电阻:1.6Ω
栅极电荷:29nC
输入电容:1280pF
工作温度范围:-55℃至175℃
封装类型:TOLL
HRV103BTRF-E-HS采用了先进的制造工艺,使其具备以下特点:
1. 高耐压能力:能够承受高达800V的漏源电压,非常适合高压环境下的应用。
2. 低导通电阻:在同类产品中,其导通电阻仅为1.6Ω,显著降低了功率损耗。
3. 快速开关速度:通过优化的栅极电荷设计,器件具备更快的开关速度,从而提升了整体效率。
4. 良好的热性能:TOLL封装提供优越的散热效果,使器件能够在高温条件下稳定运行。
5. 高可靠性:经过严格的质量测试,确保在各种恶劣环境中的长期可靠性。
HRV103BTRF-E-HS广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):适用于需要高电压输入的AC-DC转换器。
2. DC-DC转换器:可用于工业和汽车领域的电压调节模块。
3. 电机驱动:支持高效、可靠的电机控制,尤其是高压电机系统。
4. PFC电路:提升功率因数校正电路的效率。
5. 其他高压电子设备:如逆变器、不间断电源(UPS)等。
HRV103STRF-E-HS, HRV104BTRF-E-HS