时间：2025/6/17 18:38:01
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HRT60N10D是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于多种开关和功率管理应用。该器件具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，能够有效提升电路效率并降低功耗。
其封装形式通常为TO-220，这使得它在散热性能方面表现优异，非常适合于要求高可靠性和稳定性的场景。
型号：HRT60N10D
类型：N沟道 MOSFET
Vds（漏源极电压）：100V
Rds(on)（导通电阻）：55mΩ
Id（连续漏极电流）：60A
栅极电荷：23nC
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装：TO-220
HRT60N10D的主要特点是低导通电阻（Rds(on)仅为55mΩ），这有助于减少传导损耗并提高系统效率。
此外，该器件的高击穿电压（100V）使其能够承受更高的电压环境，同时具备良好的热稳定性。
HRT60N10D还拥有快速的开关速度，从而减少了开关损耗，并支持高频操作，适合应用于开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。
由于采用了TO-220封装，其散热性能优越，可以满足高功率密度设计需求。
HRT60N10D广泛用于各类功率电子应用中，包括但不限于以下领域：
- 开关电源（SMPS）
- DC-DC转换器
- 电机驱动与控制
- 逆变器
- UPS不间断电源
- 工业自动化设备中的功率控制模块
- 电池管理系统（BMS）中的充放电控制
其高性能和可靠性使它成为许多需要高效功率处理的应用的理想选择。
IRFZ44N
STP60NF06
FDP60N10S
IXTK60N10P2
