时间：2025/5/27 9:41:45
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HRT20V200CT 是一种高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 TO-220 封装形式，广泛用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他功率转换应用中。HRT20V200CT 的高击穿电压和低导通电阻特性使其成为高效功率管理的理想选择。
该型号具有出色的开关特性和热性能，能够在高频条件下保持较高的效率。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：20A
导通电阻：0.18Ω
栅极阈值电压：2V~4V
功耗：36W
工作结温范围：-55℃~175℃
HRT20V200CT 具备以下主要特性：
1. 高耐压能力：额定漏源电压为 200V，能够承受更高的电压波动。
2. 低导通电阻：仅为 0.18Ω，在高电流应用中可显著降低功率损耗。
3. 快速开关速度：具备较低的输入和输出电容，从而实现更快的开关操作。
4. 高可靠性：采用先进的制造工艺和封装技术，确保在恶劣环境下的稳定运行。
5. 热性能优越：TO-220 封装提供良好的散热路径，支持长时间高温运行。
6. 宽温度范围：支持 -55℃ 至 +175℃ 的工作结温，适用于各种工业和汽车场景。
HRT20V200CT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：用于 DC-DC 转换器和 AC-DC 适配器。
2. 电机控制：驱动步进电机、直流无刷电机等。
3. 逆变器：用于太阳能逆变器、UPS 系统和其他功率转换设备。
4. 工业自动化：如电磁阀驱动、负载切换等。
5. 汽车电子：包括电动助力转向系统（EPS）、电池管理系统（BMS）等。
由于其高电压和大电流承载能力，HRT20V200CT 在需要高效功率管理的应用中表现出色。
IRFZ44N, STP30NF10L, FDP5500
