HRT20L200FCT是一款高性能的MOSFET功率晶体管,采用TO-252封装形式。该器件主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率转换的场景。它具有低导通电阻、快速开关特性和高耐压能力,能够有效提升系统的效率和稳定性。
该型号属于N沟道增强型场效应晶体管,适用于多种工业和消费电子领域。其设计特点使其在高频开关应用中表现出色,同时降低了功耗和热损耗。
最大漏源电压:200V
连续漏极电流:4.8A
导通电阻(典型值):0.3Ω
栅极电荷:17nC
总电容:46pF
工作结温范围:-55℃至+150℃
封装类型:TO-252
HRT20L200FCT具有以下显著特性:
1. 低导通电阻,可减少传导损耗并提高整体效率。
2. 高速开关性能,适合高频应用。
3. 较高的漏源电压额定值,能够承受更高的瞬态电压冲击。
4. 良好的热稳定性和可靠性,确保在恶劣环境下的正常运行。
5. 小巧的TO-252封装,节省PCB空间且便于安装。
6. 符合RoHS标准,环保且支持无铅焊接工艺。
该器件广泛应用于以下领域:
1. 开关电源中的同步整流和功率因数校正。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. DC-DC转换器和逆变器的设计。
4. 各种保护电路,如过流保护和负载切换。
5. 消费类电子产品中的电池充电管理。
6. 工业自动化设备中的功率转换模块。
HRT20L200FC, IRFZ44N, FDP18N20