HRPF89165BTB-A 时间：2025/4/28 19:30:06 阅读：2

HRPF89165BTB-A 是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的制造工艺和封装技术。该器件专为需要高效率、低导通电阻和快速开关速度的应用而设计，适用于多种工业和消费类电子设备。
　　HRPF89165BTB-A 属于 N 沟道增强型 MOSFET，具有出色的电气特性和可靠性。其优化的设计使其能够承受高电压和大电流的工作条件，同时保持较低的功耗和热量产生。

参数

型号：HRPF89165BTB-A
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：TO-263（DPAK）
　　最大漏源电压：100V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：24A
　　导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　总栅极电荷：35nC
　　开关速度：快速
　　工作温度范围：-55℃至+175℃

特性

HRPF89165BTB-A 的主要特性包括：
　　1. 超低导通电阻，可有效减少传导损耗，提高系统效率。
　　2. 快速开关能力，适合高频应用。
　　3. 高雪崩能力和鲁棒性，确保在恶劣条件下可靠运行。
　　4. 热性能优异，能够在高温环境下稳定工作。
　　5. 支持大电流操作，满足高功率应用需求。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
　　这些特点使 HRPF89165BTB-A 成为众多电力电子应用的理想选择。

应用

HRPF89165BTB-A 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）
　　2. 直流-直流转换器
　　3. 电机驱动和控制
　　4. 电池管理与保护电路
　　5. 工业自动化设备
　　6. 汽车电子系统
　　7. LED 照明驱动
　　其强大的性能和可靠性使其成为各种高功率密度设计中的关键元件。