时间：2025/7/29 18:50:28
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HRD050R6 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率电源转换和功率管理应用，具备低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力以及良好的热性能。HRD050R6 采用紧凑的封装形式，适用于需要高功率密度和高效能的电源系统。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电压 Vds：500V
最大栅极电压 Vgs：±30V
最大连续漏极电流 Id：5A
最大耗散功率 Pd：75W
导通电阻 Rds(on)：0.5Ω
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-220
HRD050R6 的主要特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗并提高电源转换效率。该器件的 Rds(on) 值为 0.5Ω，在高电流应用中仍能保持较低的功率损耗。
此外，HRD050R6 具备较高的漏极电压耐受能力，最大可达 500V，使其适用于高电压输入的电源系统。其最大连续漏极电流为 5A，能够满足中高功率应用的需求。
该 MOSFET 还具备良好的热稳定性，最大耗散功率为 75W，并采用 TO-220 封装，便于散热设计。TO-220 封装是一种广泛使用的功率器件封装形式，具有良好的热传导性能和机械稳定性。
HRD050R6 的栅极电压范围为 ±30V，确保在不同驱动条件下仍能稳定工作。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于工业级温度环境下的应用。
HRD050R6 广泛应用于多种电源管理和功率转换系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 适配器、电机驱动器、LED 照明驱动器以及工业自动化控制系统。
在开关电源中，HRD050R6 可作为主开关元件，用于控制能量的传递和转换。其低导通电阻和高耐压能力有助于提高电源效率并减少发热。
在 DC-DC 转换器和 AC-DC 适配器中，该 MOSFET 可用于实现高效率的能量转换，特别是在中等功率范围内的应用。由于其良好的热性能，HRD050R6 在高负载条件下仍能保持稳定运行。
在电机驱动和 LED 照明应用中，HRD050R6 可用于 PWM 控制，实现对电机转速或 LED 亮度的精确调节。其快速开关特性和低导通损耗使其成为高频开关应用的理想选择。
IRF840, FQA5N50C, STF5NM50N
