时间：2025/5/16 15:10:47
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HPP845E031R5 是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等领域。该器件采用先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提高系统的效率和可靠性。
此型号属于N沟道增强型MOSFET，适用于中高电压应用场景，其封装形式通常为TO-220或TO-247，具体以实际产品为准。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：10A
导通电阻：31mΩ
栅极电荷：35nC
总电容：1250pF
功耗：125W
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 高击穿电压设计，确保在高压环境下的稳定运行。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），减少传导损耗，提升系统效率。
3. 快速开关特性，降低开关损耗，适合高频应用。
4. 内置反向恢复二极管，优化性能并简化电路设计。
5. 强大的散热能力，支持长时间高负载运行。
6. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关元件。
2. DC-DC转换器的功率级开关。
3. 电机驱动中的逆变桥组件。
4. LED照明驱动电路中的开关元件。
5. 充电器和适配器的关键功率处理单元。
6. 各种工业控制设备中的功率转换模块。
IRF840
FDP18N65
STP10NK60Z
