HPJC-252R+是一款由Hittite(现为Analog Devices的一部分)生产的GaAs(砷化镓)pHEMT(假晶高电子迁移率晶体管)单片微波集成电路(MMIC)功率放大器芯片。该器件设计用于高性能射频和微波应用,适用于无线通信、测试设备、雷达系统以及其他需要高线性度和高输出功率的场景。HPJC-252R+在2 GHz至25 GHz的宽频率范围内工作,具备出色的功率增益、输出功率和效率表现。该器件采用紧凑的表面贴装封装,适合高密度电路设计。
工作频率范围:2 GHz 至 25 GHz
典型增益:20 dB(在20 GHz时)
输出功率(P1dB):约 +20 dBm(在20 GHz时)
饱和输出功率(Psat):约 +22 dBm
电源电压(Vdd):+6 V 至 +8 V
静态电流(Idd):约 250 mA
封装形式:8引脚表面贴装(SOT-89)
工作温度范围:-55°C 至 +85°C
HPJC-252R+具有宽频带操作能力,能够在2 GHz至25 GHz的范围内保持稳定的性能,适用于多种射频和微波系统。其高增益和高输出功率特性使其在需要线性放大和高信号完整性的应用中表现出色。该功率放大器采用了先进的GaAs pHEMT工艺,具备良好的热稳定性和高可靠性。
此外,HPJC-252R+具有低直流功耗和高效率,适用于电池供电和高密度电路设计。其高线性度和低失真特性使其非常适合用于数字通信系统中的高阶调制信号放大。该器件的封装设计也便于集成到射频模块和系统中,同时具备良好的散热性能。
在设计方面,HPJC-252R+内部集成了输入和输出匹配网络,减少了外围电路的复杂性,简化了系统设计。它还具备良好的回波损耗和驻波比(VSWR)性能,确保信号传输的稳定性和高效性。
HPJC-252R+广泛应用于高性能射频和微波通信系统中,如点对点微波通信、测试与测量设备、雷达和传感器系统、卫星通信设备以及无线基础设施设备。由于其宽频带特性和高线性度,它也适用于多频段或多标准通信设备中的功率放大环节。此外,该器件还可用于射频信号发生器、频谱分析仪和功率计等测试设备中,提供稳定可靠的射频信号放大功能。在工业和军事领域,HPJC-252R+也常用于高可靠性通信和传感系统中,满足复杂环境下的性能要求。
HMC563LC4B HMC634LC5 HMC8191