HPG1105W-RR 时间：2025/5/23 3:39:42 阅读：15

HPG1105W-RR是一种基于硅材料制造的高压功率MOSFET器件，主要应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等领域。该芯片具有高击穿电压、低导通电阻和快速开关速度等特性，适合于需要高效能和高可靠性的电力电子系统。
　　其封装形式为TO-220，具备良好的散热性能，便于在大功率应用场景中使用。

参数

最大漏源电压：600V
　　连续漏极电流：4.8A
　　导通电阻：1.2Ω
　　栅极电荷：35nC
　　开关时间：75ns
　　工作温度范围：-55℃ to +150℃

特性

HPG1105W-RR的核心优势在于其出色的电气特性和热管理能力。首先，该器件的高击穿电压（600V）使其能够在高压环境中稳定运行，这对于工业级应用尤为重要。其次，其较低的导通电阻（1.2Ω）有效降低了功率损耗，从而提高了系统的整体效率。此外，快速的开关速度（75ns）和较小的栅极电荷（35nC）使得动态性能得到优化，减少开关损耗。
　　该芯片还具有较强的抗雪崩能力，可承受瞬态过载情况下的能量冲击，进一步提升了可靠性。同时，TO-220封装形式提供了较大的金属散热片，有助于将热量迅速传导至外部散热器，保证长期运行时的稳定性。

应用

HPG1105W-RR广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于以下场景：
　　1. 开关电源（SMPS），如适配器、充电器等；
　　2. 电机驱动，用于控制直流无刷电机或步进电机；
　　3. DC-DC转换器，例如降压或升压拓扑结构；
　　4. 能量回收系统，如制动能量再生；
　　5. 工业自动化设备中的功率控制模块。