HPA02273ZQLR 时间：2025/7/18 13:04:19 阅读：4

HPA02273ZQLR 是一款由 Renesas Electronics 生产的高性能、低噪声、高线性度的射频（RF）放大器集成电路。该芯片设计用于工作在广泛的射频频率范围内，特别适用于需要高增益和低噪声系数的无线通信系统应用。HPA02273ZQLR 采用先进的 SiGe（硅锗）工艺制造，具有出色的热稳定性和可靠性。

参数

类型：射频低噪声放大器（LNA）
　　频率范围：50 MHz 至 4000 MHz
　　增益：约 20 dB（典型值）
　　噪声系数：约 0.6 dB（典型值）
　　输出IP3：约 30 dBm
　　工作电压：5 V
　　工作电流：约 100 mA
　　封装类型：16 引脚 QFN
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

特性

HPA02273ZQLR 的主要特性之一是其宽频率覆盖范围，能够在 50 MHz 至 4 GHz 的范围内稳定工作，使其适用于多种通信标准，包括 GSM、CDMA、LTE 和 Wi-Fi 等系统。芯片的低噪声系数（0.6 dB）使其非常适合用于前端接收系统，以提高信号的接收灵敏度。
　　该器件具有出色的线性性能，输出三阶交调截点（IP3）达到 30 dBm，能够在高信号强度环境下保持低失真，从而提高系统的整体动态范围。HPA02273ZQLR 的输入和输出内部匹配至 50Ω，简化了外部电路设计，减少了 PCB 布局的复杂性。
　　该放大器的工作电压为 5V，典型电流为 100 mA，具备良好的能效表现。其 QFN 封装体积小巧，适合在空间受限的便携式或高密度电路设计中使用。此外，该芯片具有良好的温度稳定性，可在 -40°C 至 +85°C 的工业级温度范围内可靠工作。

应用

HPA02273ZQLR 被广泛应用于无线通信系统中的射频接收前端，如蜂窝基站、无线基础设施设备、宽带通信设备和测试测量仪器。它特别适用于需要高增益、低噪声和高线性度的场合，例如在 LTE 基站、微波回传系统、无线接入点（Wi-Fi）以及卫星通信设备中作为低噪声放大器使用。此外，该芯片也可用于软件定义无线电（SDR）系统和军事通信设备中，提供可靠的射频信号放大功能。