类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：60V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：32A（Tc=25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：5.6mΩ @ Vgs=10V
　　封装：PowerPAK SO-8 双散热焊盘
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C

HP32D561MCYWPEC 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。其 Rds(on) 典型值为 5.6mΩ，在 10V 的栅极驱动电压下能够实现高效的功率传输。此外，该器件采用了先进的沟槽技术，提供了卓越的开关性能和稳定的导通特性。
　　另一个关键特性是其高耐压能力，漏极-源极额定电压为 60V，使其适用于多种中高压电源转换应用。该器件的封装采用了 PowerPAK SO-8 双散热焊盘设计，有助于提高热性能，确保在高负载条件下仍能保持较低的工作温度。
　　HP32D561MCYWPEC 还具有良好的雪崩能量承受能力和过热保护性能，提高了器件在严苛环境下的可靠性。其栅极驱动电压范围较宽，支持 ±20V，适用于多种驱动电路设计。此外，该 MOSFET 的封装尺寸紧凑，便于在高密度 PCB 设计中使用，适用于各种便携式设备和工业控制系统。

HP32D561MCYWPEC 主要应用于高效能电源管理系统，如同步整流器、DC-DC 转换器、电池管理系统、电机驱动器和负载开关等。由于其高电流能力和低导通电阻，该器件也广泛用于服务器电源、通信设备、工业自动化设备以及高性能计算平台中的电源模块设计。
　　在汽车电子领域，HP32D561MCYWPEC 可用于车载充电系统、电池管理系统和电动助力转向系统等应用。其高可靠性和良好的热管理能力使其在高温环境下仍能稳定工作，满足汽车和工业级应用的严苛要求。此外，该 MOSFET 还适用于 UPS（不间断电源）、光伏逆变器和储能系统的功率转换模块。

SiZ600DT, SQM32N06-15M, AO4407A, IPB060N04N07, FDMS7618