时间：2025/9/6 18:20:27
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HP31V682MCYWPEC是一款由Vishay Siliconix设计的功率MOSFET，适用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的沟槽技术，以提供更低的导通电阻和更高的电流处理能力。这款MOSFET通常用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及各种工业和消费类电子产品中。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：30V
最大漏极电流(Id)：80A（连续）
导通电阻(Rds(on))：1.75mΩ（最大值）
栅极阈值电压(Vgs(th))：2V（典型值）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：PowerPAK SO-8双侧散热
最大功耗：3.1W
HP31V682MCYWPEC采用了Vishay的新型沟槽技术，提供了卓越的导通性能和开关效率。其低导通电阻确保了在高电流应用中减少功率损耗和热量产生，从而提高系统效率。该器件的高电流容量和低栅极电荷使其适用于高频开关环境，有助于减小电源模块的尺寸并提高性能。此外，该MOSFET具备优异的热稳定性和可靠性，适用于严苛的工作环境。
其封装设计采用了PowerPAK SO-8双侧散热结构，能够有效提高散热效率，使器件在高负载条件下保持较低的温度。此外，该封装还具有良好的机械稳定性和焊接可靠性，适合自动化生产和高温回流焊工艺。由于其优异的电气和热性能，该器件广泛用于高性能电源管理方案中，如服务器电源、电信设备、电动车驱动器以及工业自动化系统。
该MOSFET广泛应用于各类高功率电子设备中，包括但不限于：DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统、工业控制设备、服务器电源、通信电源以及各种需要高效能功率开关的场合。此外，它也适用于需要高可靠性和高效率的汽车电子系统，如车载充电器和电动助力转向系统。
SiZ882DT, SQM120N10, FDMC882DS
