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HNI1C03F-B 发布时间 时间:2025/5/13 12:49:51 查看 阅读:5

HNI1C03F-B 是一款高性能的霍尔效应传感器芯片,广泛应用于磁场检测、位置传感和速度测量等领域。该芯片采用先进的 CMOS 工艺制造,具有高灵敏度、低功耗和高稳定性的特点。其内置的温度补偿功能使其能够在宽温度范围内保持优异的性能。

参数

工作电压:2.8V 至 5.5V
  输出类型:数字开关
  电源电流:最大 7mA
  工作温度范围:-40℃ 至 +150℃
  响应时间:典型值 15μs
  磁灵敏度:-30Gauss 至 -60Gauss
  封装形式:TO-92S

特性

HNI1C03F-B 具有卓越的抗干扰能力,能够在复杂的电磁环境中提供精确的检测结果。
  其内部集成了信号调节电路和保护电路,确保了芯片在各种工况下的可靠运行。
  芯片支持双向磁场检测,适用于多种应用场景,例如转速测量、齿轮传感和接近开关等。
  此外,HNI1C03F-B 的低功耗设计非常适合电池供电的设备使用。

应用

HNI1C03F-B 广泛应用于工业自动化、消费电子和汽车电子领域。
  具体应用包括:
  - 转速计数器和编码器
  - 齿轮齿数检测
  - 液位传感器
  - 接近开关
  - 无刷直流电机换向控制
  - 安全门或窗的开闭检测
  由于其出色的温度适应性,该芯片还被广泛用于高温环境下的设备监测。

替代型号

HNI1C03F-A, HN1C03F-B

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