HNI1C03F-B 是一款高性能的霍尔效应传感器芯片,广泛应用于磁场检测、位置传感和速度测量等领域。该芯片采用先进的 CMOS 工艺制造,具有高灵敏度、低功耗和高稳定性的特点。其内置的温度补偿功能使其能够在宽温度范围内保持优异的性能。
工作电压:2.8V 至 5.5V
输出类型:数字开关
电源电流:最大 7mA
工作温度范围:-40℃ 至 +150℃
响应时间:典型值 15μs
磁灵敏度:-30Gauss 至 -60Gauss
封装形式:TO-92S
HNI1C03F-B 具有卓越的抗干扰能力,能够在复杂的电磁环境中提供精确的检测结果。
其内部集成了信号调节电路和保护电路,确保了芯片在各种工况下的可靠运行。
芯片支持双向磁场检测,适用于多种应用场景,例如转速测量、齿轮传感和接近开关等。
此外,HNI1C03F-B 的低功耗设计非常适合电池供电的设备使用。
HNI1C03F-B 广泛应用于工业自动化、消费电子和汽车电子领域。
具体应用包括:
- 转速计数器和编码器
- 齿轮齿数检测
- 液位传感器
- 接近开关
- 无刷直流电机换向控制
- 安全门或窗的开闭检测
由于其出色的温度适应性,该芯片还被广泛用于高温环境下的设备监测。
HNI1C03F-A, HN1C03F-B