容量：16Mbit
　　组织形式：1M x 16位
　　电源电压：2.3V 至 3.6V
　　访问时间：55ns（最大）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　输入/输出电压兼容性：3.3V 和 2.5V
　　最大读取电流：180mA
　　最大待机电流：10mA

HN624116PDT1 SRAM芯片具有多个关键特性，使其适用于各种高性能存储应用。首先，其高速访问时间为55ns，可以满足实时数据处理和高速缓存的需求。其次，该芯片在低电压范围内（2.3V至3.6V）运行，提供了良好的电源适应性，并降低了功耗。此外，HN624116PDT1支持CMOS兼容输入和输出，使其可以无缝连接到多种微处理器和控制器。
　　该器件还具备低功耗模式，在待机状态下电流消耗仅为10mA，适用于需要节能的应用场景。封装采用54引脚TSOP形式，适合高密度PCB布局，并具有良好的热稳定性和机械可靠性。工作温度范围为-40°C至+85°C，使其适用于工业级环境条件。
　　另外，HN624116PDT1具备自动省电功能，在未访问存储器时自动进入低功耗模式，同时支持异步操作，提供灵活的时序控制。这些特性使得该芯片广泛应用于网络设备、工业控制系统、通信模块和消费电子产品中。

HN624116PDT1 SRAM芯片适用于多种高性能嵌入式系统和存储扩展应用。常见应用包括工业计算机、网络路由器和交换机、通信设备、医疗仪器、视频处理模块以及高可靠性控制系统。由于其高速访问能力和低功耗设计，该芯片也可用于需要快速数据缓存和临时存储的场合，如图形处理器缓存、高速数据缓冲器和实时数据采集系统。

IS61LV102416ALB55B、CY62148E