HN62321AP 时间：2025/9/7 10:14:25 阅读：13

HN62321AP 是一颗由 Renesas（原 Intersil）推出的高性能、低功耗的 CMOS 非易失性静态随机存取存储器（NVSRAM）。该芯片结合了 SRAM 的高速读写特性和非易失性存储器的断电数据保持能力，能够在没有外部电源的情况下，通过内置的锂电池或电容维持数据不丢失。HN62321AP 提供了 256Kbit 的存储容量，组织形式为 32K x 8 位，适用于对数据存储可靠性要求极高的工业、通信和汽车电子系统。

参数

存储容量：256Kbit (32K x 8)
　　电源电压：2.7V 至 5.5V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C（工业级）
　　封装类型：28 引脚 SOIC 或 TSOP
　　读写时间：最大访问时间 55ns
　　工作模式：高速 SRAM 模式、自动存储（AutoStore）、软件控制存储（SoftStore）、硬件触发存储（HWSave）
　　数据保持电流：典型值 1.5μA（VDD = 3.3V）
　　数据保持电压：最小 1.2V
　　存储器类型：NVSRAM

特性

HN62321AP 的核心特性之一是其独特的非易失性数据保持能力。与传统的 SRAM 不同，HN62321AP 内部集成了自动存储（AutoStore）功能，能够在系统断电时自动将 SRAM 数据保存到非易失性存储单元中。此外，HN62321AP 支持多种存储触发方式，包括硬件触发、软件控制和定时自动存储，用户可以根据应用需求灵活选择。该芯片采用低功耗设计，在待机模式下电流消耗极低，非常适合电池供电或高可靠性嵌入式系统。HN62321AP 还具备高抗干扰能力和宽电压工作范围，使其在各种恶劣环境中仍能稳定运行。此外，HN62321AP 的 SRAM 部分具有与标准异步 SRAM 相同的访问速度，不会引入额外延迟，从而确保系统的高性能运行。

应用

HN62321AP 由于其高速、非易失性以及高可靠性的特点，广泛应用于需要频繁写入和断电数据保持的工业控制系统、智能电表、医疗设备、通信基站、数据采集系统、汽车电子（如 OBD、远程信息处理）以及工业自动化设备等。例如，在智能电表中，HN62321AP 可用于存储实时用电数据和校准参数，即使在突发断电情况下也能确保数据完整不丢失；在工业控制系统中，可用于存储关键运行状态和故障记录，保障系统稳定性和可追溯性。