HN58X2464TI 是一款由 Renesas(原 Intersil)生产的高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片具有高速访问时间、低功耗设计以及宽温度工作范围等特性,适用于工业控制、通信设备、网络设备以及嵌入式系统等对性能和稳定性有较高要求的应用场景。
类型:静态随机存取存储器(SRAM)
容量:16K x 8 位(128Kbit)
电压供应:2.3V 至 3.6V
访问时间(tRC):10ns
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
引脚数:54
数据保持电压:最小1.5V
待机电流:最大10mA(典型值)
HN58X2464TI 是一款高性能的 CMOS SRAM,具备高速存取能力和低功耗特性,适用于对实时性要求较高的系统。其访问时间仅为10ns,使得系统能够在高频下运行,提高整体响应速度。
该芯片采用先进的 CMOS 工艺制造,能够在宽电压范围内稳定工作(2.3V 至 3.6V),从而适应不同的电源设计需求。此外,HN58X2464TI 在待机模式下仅消耗极低的电流,有助于降低系统的整体功耗,特别适用于需要节能设计的应用场合。
其工作温度范围为 -40°C 至 +85°C,满足工业级温度要求,适用于各种严苛环境下的电子设备,如工业自动化控制器、通信基站、路由器和交换机等。
HN58X2464TI 采用 54 引脚 TSOP 封装,体积小巧,便于 PCB 布局,并具备良好的热稳定性和机械可靠性。芯片还具备数据保持功能,在供电电压下降至1.5V时仍可保持存储数据不丢失,提升了系统在突发断电或低电压情况下的稳定性。
HN58X2464TI 被广泛应用于工业控制系统、通信设备、网络设备、测试仪器、嵌入式系统以及需要高速缓存的微处理器或微控制器系统中。其高速读写能力和低功耗特性使其成为高性能嵌入式系统中理想的数据缓冲存储器。
在通信设备中,HN58X2464TI 可用于高速缓存、数据缓冲和临时数据存储,提高数据传输效率。在工业自动化系统中,该芯片可作为控制器的高速存储器,提升系统响应速度和稳定性。
此外,HN58X2464TI 还适用于需要可靠数据存储的医疗设备、测试设备和航空航天系统等高可靠性应用场景。
IS61LV10248ALLB4-10TLI, CY62148EAVTA10ZSXE, IDT71V416SAG8BCE3, A2B51488A10PFG