时间：2025/7/16 18:52:52
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HN58X2464是一款由Renesas（原Intersil）推出的高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM），容量为256K位（32K x 8），采用高性能CMOS技术制造，适用于需要高速数据存取和低功耗的应用场景。该芯片封装形式多样，常见的为28引脚SSOP或SOIC封装，适用于工业级温度范围。
容量：256K位（32K x 8）
电源电压：2.3V 至 3.6V
访问时间：10ns（典型值）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：28引脚 SSOP / SOIC
接口类型：并行
读取电流（最大值）：180mA @ 10ns
待机电流（最大值）：10mA
数据保持电压：1.5V
时钟频率：异步
HN58X2464具备高速访问能力，其访问时间低至10ns，能够满足高速缓存和实时系统对数据响应速度的需求。
该芯片采用低功耗CMOS技术，在高速运行的同时保持较低的功耗水平，适合对功耗敏感的设计。
其宽广的电源电压范围（2.3V至3.6V）使其兼容多种电源管理方案，并具备良好的电压适应能力。
HN58X2464支持工业级温度范围（-40°C至+85°C），可在恶劣环境下稳定运行，适用于工业控制、通信设备及嵌入式系统。
此外，该SRAM具备数据保持功能，在电源电压降至1.5V时仍可保持数据不丢失，便于系统在低功耗或掉电情况下维持关键数据。
HN58X2464广泛应用于需要高速数据存储和低功耗特性的系统中，例如嵌入式控制器、工业自动化设备、网络通信模块、数据采集系统及便携式电子产品。
在嵌入式系统中，它可作为高速缓存或临时数据存储器，提升系统响应速度和处理效率。
在工业控制领域，其稳定的工作温度范围确保在高温或低温环境下仍能可靠运行。
此外，该芯片也适用于需要快速读写和低待机功耗的电池供电设备，如智能仪表、无线传感器节点等。
IS62WV2568ALLBLL-10MLI, CY62148EVLL-45ZSXI, IDT71V433S12PHGI
