HN58C66T25 是一款由 Renesas(瑞萨电子)推出的双极型晶体管(BJT)阵列产品。该器件集成了两个独立的 NPN 晶体管,封装在小型的 TSSOP(薄型小外形封装)中,适用于需要高集成度和高性能的模拟和数字电路设计。HN58C66T25 的设计具有良好的热稳定性和电流驱动能力,适合在工业控制、通信设备、消费类电子产品等多种应用场景中使用。
晶体管类型:NPN 双晶体管阵列
集电极-发射极电压(VCEO):50V
集电极电流(IC):100mA(每个晶体管)
功耗(PD):200mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:TSSOP
安装类型:表面贴装(SMD)
增益带宽积(fT):250MHz(典型值)
直流电流增益(hFE):110 至 800(根据工作电流不同而变化)
高集成度:HN58C66T25 集成了两个 NPN 晶体管在单一芯片上,减少了 PCB 布局的空间需求,提高了电路设计的灵活性。
优异的热稳定性:采用先进的制造工艺,确保晶体管在高温环境下仍能保持稳定的性能,适用于严苛的工作条件。
低饱和压降:该器件在导通状态下的集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))较低,有助于降低功耗并提高效率。
高频响应:晶体管具有较高的增益带宽积(fT),适用于需要高频操作的应用场景,如射频放大器和高速开关电路。
良好的互换性:每个晶体管之间的参数匹配性好,确保在需要对称设计的电路中表现一致。
多种增益选择:直流电流增益(hFE)范围宽,支持多种电流放大需求,适应不同的电路设计要求。
高可靠性:符合 RoHS 标准,并经过严格的质量测试,确保长期使用的稳定性和可靠性。
HN58C66T25 主要用于以下应用场景:
数字开关电路:由于其低饱和压降和快速开关特性,适用于数字电路中的逻辑门、缓冲器和驱动器设计。
模拟放大电路:凭借其高频响应和高增益特性,可应用于音频放大器、信号调理电路以及传感器接口电路。
电源管理:可用于 DC-DC 转换器、负载开关和稳压电路中的控制部分,提供高效的电流调节功能。
工业自动化:在工业控制系统中作为信号处理和控制单元的组成部分,支持高可靠性和稳定性的运行。
通信设备:用于射频前端模块、数据传输接口和信号增强电路,满足高频和低噪声的要求。
消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备等,用于实现小型化和高性能的电路设计。
2SC6665T25, HN58C66T25R, 2SC6665-T25L