时间：2025/8/28 17:54:34
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HN58C65是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的64MB（兆字节）的CMOS静态随机存取存储器（SRAM）芯片，具有高速存取能力和低功耗特性。该芯片广泛应用于通信设备、工业控制系统、网络设备、嵌入式系统等对数据存储速度和稳定性要求较高的场合。
容量：64Mbit（8MB x 8）
电源电压：2.3V 至 3.6V
访问时间：55ns、70ns 等多种速度等级可选
封装类型：TSOP、SOJ
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
数据保持电压：1.5V
输入/输出电平：CMOS 兼容
封装引脚数：54引脚（TSOP）
HN58C65 SRAM芯片采用高性能CMOS技术制造，具备高速读写能力，访问时间可低至55纳秒，能够满足高速缓存或快速数据处理应用的需求。该芯片支持异步操作模式，控制信号包括片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE），便于与多种微处理器和控制器接口连接。
此外，HN58C65在低功耗方面表现出色，待机模式下电流消耗极低，有助于延长电池供电设备的使用时间。其数据保持电压可低至1.5V，确保在主电源关闭时数据不会丢失，非常适合需要数据保持功能的应用场景。
该芯片的工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）使其能够在恶劣的工业环境中稳定工作，提高了系统的可靠性和适应性。
HN58C65常用于需要高速存储器的嵌入式系统、工业控制设备、通信模块、路由器、交换机、测试仪器、医疗设备及便携式电子产品中。例如，在嵌入式系统中，HN58C65可用于缓存程序或临时数据，提高系统的响应速度；在工业自动化控制系统中，用于存储关键运行参数和状态信息；在通信设备中作为高速缓冲存储器使用，以提升数据传输效率。
IS61LV6416-10B4BLI-TR、CY7C1041CV33-10ZSXI、M5M548565FP、A61LV6416C、EM61LV6416TS-6H
