容量：256Kbit
　　组织结构：32K x 8
　　电源电压：2.3V - 3.6V
　　访问时间：20ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：44-TSOP
　　最大工作频率：约40MHz（基于访问时间计算）
　　输入/输出电平：CMOS兼容
　　待机电流：最大10mA（典型值）

HN58C256AFP-20具备高速访问能力，其访问时间仅为20ns，能够支持高达40MHz的工作频率，满足高速缓存或快速数据处理的需求。
　　该器件支持CMOS兼容的输入/输出电平，便于与多种数字电路进行接口连接。
　　其工作电压范围为2.3V至3.6V，具备良好的电源适应性，适用于多种供电环境。
　　在待机模式下，该芯片的电流消耗较低，最大为10mA，有助于降低系统功耗，适合对功耗敏感的应用场景。
　　该芯片采用CMOS工艺制造，具有较高的抗干扰能力和稳定性，同时具备较强的抗静电能力，适合工业环境中的长期运行。
　　HN58C256AFP-20的封装形式为44-TSOP，适用于表面贴装工艺，便于PCB布局和自动化生产。
　　此外，该芯片符合工业级温度规范，能够在-40°C至+85°C的温度范围内稳定工作，适用于严苛的工业和通信环境。

HN58C256AFP-20适用于需要高速数据存储和低功耗特性的嵌入式系统和工业控制设备。
　　在通信设备中，该SRAM芯片可用于缓存数据、存储临时变量或作为网络处理器的外部高速存储器。
　　在工业控制系统中，HN58C256AFP-20可作为PLC（可编程逻辑控制器）或工业计算机的高速缓存存储器，提高系统响应速度和数据处理能力。
　　该芯片也适用于测试测量仪器，如示波器、信号发生器等设备中的数据缓冲和临时存储需求。
　　在消费类电子产品中，如高端音频设备、视频编码器等，HN58C256AFP-20可用于提供高速数据存取能力，提升系统整体性能。
　　此外，该芯片还可用于医疗电子设备、车载电子系统、智能安防设备等多种应用场景，满足对高速存储和稳定性的要求。

IS62C256AL-20TLI, CY62167EV30LL-20B6I, IDT71V416SA20PFG, AS7C256A-20TC, HM62256BLP-20