时间：2025/9/6 22:04:07
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HN58C1001T是一款由Renesas（瑞萨电子）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理和功率转换应用。这款MOSFET具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池管理系统等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：20A
功耗（Pd）：60W
导通电阻（Rds(on)）：最大值8.5mΩ（在Vgs=10V时）
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：TO-252（DPAK）
HN58C1001T具有低导通电阻，这使得它在高电流应用中能够有效降低功率损耗并提高整体效率。该器件的栅极驱动电压范围较宽，在4.5V至20V之间均可正常工作，使其兼容多种驱动电路设计。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和抗过载能力，能够在高温环境下稳定运行。
该MOSFET采用TO-252封装，具有良好的散热性能，适用于需要高功率密度的设计。同时，其紧凑的封装形式也有助于节省PCB空间，适用于空间受限的电路板布局。HN58C1001T还具备较高的雪崩能量承受能力，能够在突发性电压冲击下保持稳定工作，提升系统的可靠性。
HN58C1001T广泛应用于各类功率电子设备中，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电源管理系统、工业自动化设备、电动工具、电源适配器、UPS不间断电源以及电动车控制系统等。其高效率和高可靠性的特点使其成为中高功率应用中的理想选择。
SiR142DP-T1-GE、IRFZ44N、FDMS86180、IPB017N10N3 G
