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HN2S02JE 发布时间 时间:2025/5/23 6:36:15 查看 阅读:15

HN2S02JE是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率管理的电子设备中。该芯片具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提高系统的效率并降低发热。HN2S02JE采用了先进的制造工艺,具备出色的耐热性能和可靠性,适用于工业控制、消费电子以及汽车电子等领域。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:50nC
  开关时间:开启时间 8ns,关闭时间 15ns
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

HN2S02JE具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗。
  2. 快速的开关速度,适合高频应用环境。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性。
  4. 符合RoHS标准,绿色环保。
  5. 采用无铅封装技术,支持表面贴装工艺。
  6. 良好的热稳定性和抗干扰性能,确保在极端条件下的可靠运行。

应用

HN2S02JE广泛应用于各类功率电子设备中,包括但不限于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)。
  2. 电机驱动电路。
  3. DC-DC转换器。
  4. 电池管理系统(BMS)。
  5. 工业自动化控制。
  6. 汽车电子中的负载切换与保护。
  7. 太阳能逆变器等新能源设备。

替代型号

IRFZ44N
  STP30NF06L
  FDP5500
  IXYS20N50T2

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