时间：2025/9/7 9:32:49
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HN29V25611AT-50是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的256K x 8位的CMOS闪存存储器芯片，属于NOR Flash类别。该芯片采用55nm制造工艺，支持快速读取访问时间，适用于需要非易失性存储解决方案的应用场景，例如嵌入式系统、工业控制设备和网络设备。该芯片的访问时间最大为50ns，能够满足高速数据读取的需求。HN29V25611AT-50采用TSOP（Thin Small Outline Package）封装，便于集成到紧凑型电子设备中。
容量：256K x 8位
电压范围：2.7V - 3.6V
访问时间：50ns（最大）
封装类型：TSOP
温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
接口类型：并行接口
读取电流：典型值为15mA（在5MHz下）
待机电流：最大为10μA
HN29V25611AT-50 NOR Flash芯片具备多种高性能特性。首先，其高速访问时间为50ns，支持快速的数据读取操作，适用于需要低延迟的应用场景。其次，芯片支持宽电压范围（2.7V至3.6V），使其能够在不同的电源环境下稳定工作。此外，HN29V25611AT-50具备低功耗设计，在待机模式下仅消耗极低的电流（最大10μA），适合对能耗敏感的设备使用。
该芯片还具有高可靠性和耐用性，支持10万次以上的擦写周期，并具备100年数据保持能力。HN29V25611AT-50采用标准的并行接口设计，兼容多种微控制器和嵌入式系统，便于硬件集成。此外，芯片内置写保护功能，可防止意外数据写入或擦除，提升系统稳定性与安全性。
HN29V25611AT-50广泛应用于需要非易失性存储器的嵌入式系统中，如工业自动化控制设备、通信模块、网络路由器和交换机、测量仪器以及智能卡终端等。由于其高速读取性能和低功耗特性，该芯片也适用于便携式电子设备和远程监测系统。在汽车电子领域，HN29V25611AT-50可用于车载导航系统、仪表盘控制模块和车载信息娱乐系统等场景。此外，该芯片还适用于固件存储、程序代码存储以及数据日志记录等功能。
HN29V25611AT-50的替代型号包括H28F256J3T-50、AM29LV256M-50REI和M29W256GH5AN6E。这些型号在容量、访问时间和封装形式上相近，可根据具体应用需求进行替换。
