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HN1K05FU 发布时间 时间:2025/5/23 9:47:14 查看 阅读:16

HN1K05FU是一款高性能的MOSFET功率晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电力电子领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压能力等特点,能够显著提高系统的效率和可靠性。
  HN1K05FU属于N沟道增强型MOSFET,其设计旨在满足对高效能和小型化有严格要求的应用需求。通过优化的芯片结构和封装技术,它能够在高频条件下提供出色的性能表现。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:5.0A
  导通电阻(典型值):0.5Ω
  栅极电荷:35nC
  总电容(输入电容):280pF
  工作结温范围:-55℃ to +150℃

特性

1. 高耐压能力,最大漏源电压达到650V,适用于各种高压场景。
  2. 极低的导通电阻,在满载条件下可以减少功耗并提升系统效率。
  3. 快速开关特性,使得该器件非常适合高频应用环境。
  4. 稳定的工作温度范围,从-55℃到+150℃,确保在极端条件下也能正常运行。
  5. 小型化封装设计,便于集成到紧凑型电路板中。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
  2. DC-DC转换器的核心开关器件。
  3. 电机驱动中的逆变桥臂组件。
  4. 各类工业控制设备中的负载开关。
  5. 充电器及适配器内的同步整流电路。

替代型号

IRF840A
  FQP12N60C
  STW13NM65M
  IXFN10N65T2

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