时间：2025/5/8 18:27:37
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HN1B04FU-GR 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，适用于高频和高效功率转换应用。该器件采用了先进的封装技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适合于需要高性能、高效率的场景。
HN1B04FU-GR 的设计旨在满足现代电源系统对更高频率操作、更小尺寸以及更低能量损耗的需求。其优异的热性能和电气特性使其成为开关电源、DC-DC 转换器以及其他功率电子系统的理想选择。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：4A
导通电阻：90mΩ
栅极电荷：38nC
反向恢复时间：无（GaN 器件固有特性）
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
HN1B04FU-GR 具备以下主要特性：
1. 氮化镓技术带来的超低导通电阻和高效率，减少功率损耗。
2. 快速开关能力，支持高频操作，从而减小了外部元件尺寸和整体解决方案体积。
3. 高击穿电压确保了在高压环境下的可靠运行。
4. 内置 ESD 保护功能，提高了器件的抗静电能力。
5. 小型化的表面贴装封装形式，简化 PCB 设计并节省空间。
6. 热性能卓越，能够在极端温度范围内稳定工作。
HN1B04FU-GR 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
2. 高频 DC-DC 转换器和 PFC（功率因数校正）电路。
3. 无线充电设备中的功率传输模块。
4. 工业电机驱动和太阳能逆变器。
5. 数据中心和通信基础设施中的高效电源管理方案。
6. 电动汽车车载充电器和其他高功率密度应用。
HN1B04FU-GQ, HN1B06FU-GR
