类型：射频功率晶体管
　　封装形式：陶瓷气密封装
　　频率范围：1.8 GHz 至 2.2 GHz
　　输出功率：40 W
　　增益：14 dB
　　效率：60%
　　工作电压：28 V
　　最大漏极电流：4 A
　　输入匹配阻抗：50 Ω
　　输出匹配阻抗：50 Ω
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

HN-RF173140-0.23(2.85-0.66)R 拥有出色的射频性能表现。首先，它采用先进的 LDMOS 技术制造，确保了在高频段下的稳定性和可靠性。其次，该器件具备高输出功率和高效率，在实际应用中可以有效减少散热需求并提高系统的整体能效。此外，其优异的线性度使得该晶体管非常适合用于多载波 GSM 和 WCDMA 等复杂调制信号环境。另外，该晶体管还提供了良好的热管理能力，从而延长使用寿命并降低维护成本。
　　除了上述优点外，HN-RF173140-0.23(2.85-0.66)R 还支持宽带操作，这意味着它可以覆盖较宽的频率范围，适应不同频段的需求，简化了射频设计流程。最后，其紧凑型封装设计也使其成为空间受限应用的理想选择。

HN-RF173140-0.23(2.85-0.66)R 广泛应用于各类射频功率放大器场景，包括基站发射机、点对点无线电通信设备以及军事雷达系统等。具体来说，它常被用于：
　　1. GSM/EDGE/WCDMA/LTE 网络基础设施中的功率放大器模块。
　　2. 微波链路通信系统中的高功率放大器。
　　3. 军用通信及卫星地面站设备中的射频功率放大部分。
　　4. 测试测量仪器中的信号源功率放大组件。
　　由于其卓越的性能和可靠性，HN-RF173140-0.23(2.85-0.66)R 成为众多射频工程师设计高效率、高性能通信系统时的首选解决方案。

HN-RF173135-0.23(2.8
　　MRF173140
　　BLYT17H12N50P4