容量：256MB
　　组织结构：x16
　　电压：1.35V（低电压设计）
　　封装类型：FBGA
　　封装尺寸：52-ball FBGA
　　工作温度：商业级（0°C 至 85°C）
　　时钟频率：高达 800MHz
　　数据速率：1600Mbps
　　技术工艺：DRAM
　　接口类型：并行

HMT351R7BFR8A-H9 是一款面向低功耗和高性能应用设计的DRAM芯片。该芯片采用了先进的制造工艺，支持高达1600Mbps的数据传输速率，适用于需要快速数据访问的计算和存储设备。此外，该芯片的工作电压为1.35V，相比传统1.5V电压的DRAM芯片，功耗显著降低，有助于提升设备的能效表现。
　　该芯片的封装形式为52-ball FBGA，具有较小的封装尺寸，适用于空间受限的高密度电路设计。其工作温度范围为商业级（0°C 至 85°C），适用于大多数电子设备的应用环境。
　　在功能方面，HMT351R7BFR8A-H9 支持自动刷新、自刷新和温度补偿等标准DRAM功能，以确保数据存储的稳定性和可靠性。它还具备较低的延迟和较高的数据吞吐能力，适用于高性能内存模块的构建，如DDR3 SDRAM内存条和嵌入式系统的内存扩展模块。

HMT351R7BFR8A-H9 主要用于高性能计算设备、服务器、网络设备、工业控制系统、嵌入式系统以及消费类电子产品中的内存扩展。由于其低功耗、高数据速率和紧凑的封装设计，该芯片广泛应用于笔记本电脑、台式机、图形卡、通信设备和智能电视等产品中。此外，它也可以作为主存储器或缓存存储器，用于提升系统的整体运行效率和响应速度。

HMT351S6BFR8A-H9, HMT351R6AFCB8A-H9, H5TC4G63AFR04H