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HMT112S6BFR6C-G7 发布时间 时间:2025/7/25 18:17:39 查看 阅读:7

HMT112S6BFR6C-G7 是由 Micron Technology 制造的一款高性能 DDR4 SDRAM(同步动态随机存取存储器)芯片。这款内存模块专为需要高速数据传输和高可靠性的应用而设计,适用于服务器、高性能计算系统、网络设备以及存储解决方案。该模块采用64位宽的接口,支持ECC(错误检查和纠正)功能,能够检测并纠正单比特错误,从而提高系统的稳定性与数据完整性。HMT112S6BFR6C-G7 的封装设计优化了散热性能,并确保在高负载环境下的稳定运行。

参数

类型: DDR4 SDRAM
  容量: 64GB (8GB x 8)
  电压: 1.2V
  速度: 2400MT/s
  数据宽度: 64-bit
  ECC支持: 是
  时钟频率: 1200MHz
  工作温度范围: 0°C 至 +85°C
  封装类型: RDIMM
  引脚数: 288-pin
  延迟(CL): 17

特性

HMT112S6BFR6C-G7 DDR4 SDRAM 模块具备多项先进特性,以满足高端应用对性能和可靠性的严苛要求。
  首先,该模块的工作电压为 1.2V,相较于之前的 DDR3 技术,显著降低了功耗,提升了能效比。这在数据中心和服务器环境中尤为重要,因为大量的内存模块运行时会消耗大量电力,而 DDR4 的低电压设计有助于降低整体运营成本。
  其次,HMT112S6BFR6C-G7 支持 ECC(Error-Correcting Code)功能,能够检测并自动纠正单比特内存错误,同时还能检测多比特错误。这一特性极大提升了系统在关键任务环境中的数据完整性和稳定性,减少了由于内存错误导致的系统崩溃或数据损坏风险。
  此外,该内存模块采用了 RDIMM(Registered DIMM)架构,通过寄存器缓冲地址和控制信号,提高了内存系统的稳定性,尤其是在高容量和高频率的系统中。这种设计使得系统可以支持更多的内存模块而不增加控制器的负载,适合用于多通道内存架构的服务器平台。
  HMT112S6BFR6C-G7 的工作频率为 2400MT/s(兆次传输每秒),提供高达 19.2GB/s 的带宽,确保了快速的数据访问速度。它支持 1200MHz 的时钟频率,CL(CAS Latency)延迟为 17,尽管延迟略有增加,但整体性能提升显著。
  在封装方面,该模块采用 288-pin RDIMM 封装形式,符合行业标准的物理尺寸和引脚布局,便于安装和兼容性设计。其工作温度范围为 0°C 至 +85°C,确保了在各种环境条件下都能稳定运行。

应用

HMT112S6BFR6C-G7 DDR4 RDIMM 内存模块广泛应用于对性能和可靠性有高要求的计算平台。其主要应用领域包括企业级服务器、云计算基础设施、虚拟化环境、数据库服务器、高性能计算(HPC)系统、存储设备以及网络设备等。
  在企业服务器中,该模块能够支持多核处理器和大规模并发任务,确保系统在高负载下依然保持稳定运行。在云计算和虚拟化环境中,HMT112S6BFR6C-G7 提供了充足的内存带宽和容量,支持多个虚拟机同时运行,提升整体资源利用率。
  对于数据库服务器而言,该内存模块的 ECC 支持和高带宽特性可有效减少数据错误和提升查询性能,保障关键业务数据的安全与快速访问。在 HPC 系统中,HMT112S6BFR6C-G7 的高速传输能力能够加速科学计算和数据分析任务的执行效率。
  此外,该模块还适用于需要长时间运行和高稳定性的网络设备,如高端路由器和交换机,确保数据传输的连续性和可靠性。

替代型号

HMT112S6BFR6C-G7 的替代型号包括 HMT112S6BFR6C-G7S(低功耗版本)以及 HMT112S6BFR6C-G7A(增强型可靠性版本)。其他兼容型号还包括 HMT112S6BFR6C-G7E 和 HMT112S6BFR6C-G7T,它们在特定应用场景中提供不同的性能或功耗优化选项。

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