容量：64MB / 128MB
　　数据宽度：16位
　　工作电压：2.3V - 3.6V
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54-pin
　　时钟频率：最大可达166MHz
　　访问时间：5.4ns
　　工作温度范围：0°C至70°C

HMS8N70是一款专为高性能存储需求设计的DRAM芯片，具备出色的稳定性和低功耗特性。其TSOP封装形式有助于减少电路板空间占用，并提供良好的散热性能，确保芯片在高频率工作下的稳定性。该芯片支持异步和同步两种工作模式，用户可以根据具体应用场景选择合适的模式以优化系统性能。此外，HMS8N70具备自刷新（Self-Refresh）功能，在低功耗模式下能够自动刷新存储数据，从而降低功耗并延长电池寿命。
　　在数据访问速度方面，HMS8N70的最大时钟频率可达166MHz，访问时间仅为5.4ns，能够满足高速数据处理需求。该芯片还支持常见的DRAM管理功能，如预充电、突发访问和页模式访问，进一步提升数据传输效率。HMS8N70的工作电压范围较宽（2.3V至3.6V），适用于多种电源设计环境，具备较强的适应性。

HMS8N70广泛应用于需要中等容量高速存储的设备中，如工业控制设备、网络通信设备、视频监控系统、便携式电子产品以及各种嵌入式系统。由于其低功耗和高稳定性，该芯片也常用于需要长时间运行的自动化设备和远程监控终端。

IS61LV25616-10B4I、CY62148EVLL、A640BN221B、MT48LC16M2A2B4-6A