时间：2025/9/2 5:14:50
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HMS895300M-VA2 是由Hynix（现为SK hynix）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。它被设计用于提供大容量存储和高速数据访问，适用于需要稳定内存性能的应用场景。这款芯片具有低功耗特性，适用于需要长时间运行和节能的应用。HMS895300M-VA2 通常用于嵌入式系统、网络设备和工业计算机等场景。
容量：512Mb
组织结构：16M x 32
电压：2.3V - 3.6V
访问时间：5.4ns
封装类型：TSOP
引脚数：54
工作温度范围：-40°C至+85°C
HMS895300M-VA2 是一款高性能的DRAM芯片，采用CMOS技术制造，提供高速数据访问能力。其低电压操作特性使其能够在降低功耗的同时保持稳定性能。该芯片采用TSOP封装，适用于高密度内存设计。其工作温度范围广泛，使其适用于各种工业环境。
这款DRAM芯片的访问时间为5.4ns，能够满足高速数据处理的需求。此外，HMS895300M-VA2 的16M x 32组织结构提供了512Mb的存储容量，使其适用于需要大量数据存储和快速访问的应用场景。
由于其低功耗特性和高可靠性，HMS895300M-VA2 可用于各种嵌入式系统和工业设备。该芯片的封装形式为TSOP，有助于提高电路板布局的灵活性。此外，其宽工作温度范围确保了在极端环境下的稳定运行。
HMS895300M-VA2 主要应用于需要高性能内存的设备，例如工业计算机、嵌入式系统、网络设备和通信设备。由于其低功耗和高速特性，它也适用于便携式设备和需要长时间运行的系统。
HMS895300M-VA3, HM52516CASJ-5T
