时间：2025/9/16 11:43:11
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HMPS-2825-TR1G 是一款由 Avago Technologies（现为 Broadcom）推出的高性能射频（RF）MOSFET 晶体管，专为高频率、高效率的射频功率放大应用而设计。该器件采用先进的高压 GaN（氮化镓）技术制造，适用于无线基础设施、广播、工业和医疗设备等领域的高频功率放大器设计。HMPS-2825-TR1G 提供了优异的输出功率、效率和线性度，适用于从 1.8 GHz 到 2.7 GHz 的广泛频率范围。
类型：射频功率MOSFET
工艺技术：GaN（氮化镓）
频率范围：1.8 GHz - 2.7 GHz
输出功率：典型值28W（在2.6 GHz）
漏极效率：典型值65%
增益：典型值12 dB
工作电压：28V
封装形式：表面贴装
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
HMPS-2825-TR1G 具备一系列出色的电气和物理特性，使其在高频射频功率放大器设计中表现出色。
首先，该器件采用 GaN 技术，提供了比传统 LDMOS 更高的功率密度和更高的效率，特别适合于高频率操作下的高效功率放大器应用。
其次，其宽带操作能力覆盖 1.8 GHz 至 2.7 GHz 的频率范围，使其非常适合多频段通信系统，如 LTE、WCDMA、WiMAX 和其他现代无线标准。
此外，HMPS-2825-TR1G 具有优异的热管理和高可靠性，能够在高温环境下稳定运行，适用于苛刻的工作条件。其表面贴装封装形式也便于现代 PCB 自动化组装工艺。
该器件的高线性度和低失真特性使其在需要高信号完整性的应用中表现出色，例如在基站发射器中，能够有效减少信号失真并提高系统性能。
最后，该器件在28V电源供电下运行，与常见的射频功率放大器偏置电路兼容，简化了设计和集成过程。
HMPS-2825-TR1G 主要应用于需要高频率、高效率的射频功率放大器场景。例如，它被广泛用于蜂窝通信基站的发射模块，包括4G LTE和5G前传系统中的功率放大器设计。此外，该器件也可用于无线接入网络（WAN）、Wi-Fi 6接入点、数字广播系统（如DVB-T）、工业射频加热设备以及医疗成像设备中的射频功率模块。
由于其宽带工作能力，工程师可以使用该器件设计多频段或宽带放大器，以减少组件数量并提高系统的灵活性。在测试设备和测量仪器中，HMPS-2825-TR1G 也常用于构建高精度的射频信号放大模块。
NXP AFT05HP120S, Cree CGH40025S, Infineon BFP840HE6327XTSA1
