时间：2025/6/29 13:15:12
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HMK325C7475MN-TE 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，采用先进的制造工艺以提供卓越的电气性能和可靠性。该器件通常用于需要高效率和低导通电阻的应用中，例如开关电源、电机驱动器以及 DC-DC 转换器等场景。
此型号属于 HMK 系列功率 MOSFET 产品线，具备低栅极电荷、快速开关速度以及出色的热稳定性等特点。其封装形式为 TO-263（D2PAK），便于安装与散热设计。
类型：N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压 Vds：75V
最大栅源电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id：19A
脉冲漏极电流 Idrm：58A
导通电阻 Rds(on)：4.5mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷 Qg：38nC
总电容 Ciss：1530pF
结温范围 Tj：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263 (D2PAK)
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用场合。
3. 高雪崩能量耐受能力，确保在异常工作条件下的鲁棒性。
4. 提供良好的热稳定性和较高的结温上限，支持严苛环境下的长期运行。
5. 封装结构坚固，可有效提升散热性能并简化 PCB 布局设计。
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率级开关。
2. DC-DC 转换器及同步整流电路。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
4. 汽车电子系统内的负载切换与保护功能。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
HMK325C7475MN-TR, HMK325C7475MM-TE
