HMK325C7475MM-PE是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高效率、高频率开关应用设计。该芯片采用先进的半导体制造工艺,能够提供低导通电阻和快速开关速度,从而减少能量损耗并提高系统性能。广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及各类工业电子设备中。
其封装形式为表面贴装型(SMD),具有良好的散热性能,适用于需要紧凑设计的空间受限场景。
类型:N沟道 MOSFET
电压等级:75V
连续漏极电流:180A
导通电阻:1.2mΩ(典型值)
栅极电荷:60nC
开关频率:最高支持1MHz
封装形式:MMB2
工作温度范围:-55℃至+175℃
HMK325C7475MM-PE的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在大电流条件下显著降低功耗。
2. 快速开关能力,支持高频操作,适合现代高效电源转换需求。
3. 高雪崩能力和鲁棒性,可承受短暂过载或异常情况下的应力。
4. 紧凑型封装设计,有助于实现更小尺寸的电路板布局。
5. 支持宽广的工作温度范围,确保在恶劣环境下的可靠性。
6. 内置ESD保护功能,提升器件整体稳定性。
HMK325C7475MM-PE适用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管。
2. 各类DC-DC转换器,包括降压、升压及SEPIC拓扑结构。
3. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的电池管理系统(BMS)。
4. 工业自动化设备中的电机驱动电路。
5. 太阳能逆变器以及其他可再生能源相关应用。
6. LED照明驱动和负载切换控制。
HMK325C7475MM-PD, HMK325C7475MM-PF, IRFP2907ZPBF