时间：2025/7/3 9:11:05
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HMK325BJ225KM-P 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等领域。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高效率和良好的热性能等优点，适合于需要高效能和高可靠性的应用场景。
该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，其设计旨在提供出色的开关特性和电流承载能力。通过优化栅极电荷和导通电阻之间的平衡，HMK325BJ225KM-P 可以在高频开关应用中表现出色。
最大漏源电压：6：80A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
栅极电荷：60nC
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
1. 极低的导通电阻，可有效降低功耗，提升系统效率。
2. 高额定电流，支持大负载应用。
3. 优异的热性能，确保在高温环境下稳定运行。
4. 紧凑的封装设计，节省电路板空间。
5. 快速开关速度，适用于高频开关应用。
6. 宽广的工作温度范围，适应各种恶劣环境。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 高效 DC-DC 转换器的核心元件。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 太阳能逆变器和其他新能源相关设备。
6. 各种需要大电流和低损耗的应用场景。
HMK325BJ220KM-P, IRF2807ZPBF, FDP16N60E
