时间：2025/7/4 19:15:46
阅读：20
HMK325B7104MFHT 是一款高性能的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换等应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
这款MOSFET属于N沟道增强型，其封装形式为TO-263（D2PAK），具备出色的散热性能，适用于高电流和高电压的工作环境。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：90A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：85nC
开关时间：ton=12ns, toff=18ns
工作温度范围：-55°C至+175°C
1. 极低的导通电阻（Rds(on)）确保在大电流条件下具有较低的功耗。
2. 快速开关特性，适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力，提高了器件在异常情况下的可靠性。
4. 符合RoHS标准，环保且无铅。
5. 具备ESD保护功能，增强抗静电能力。
6. 封装设计便于安装和散热管理，适应各种复杂电路环境。
1. 开关电源中的同步整流器。
2. DC-DC转换器中的主开关或续流二极管替代方案。
3. 电动工具及家用电器的电机驱动控制。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 新能源汽车中的电池管理系统（BMS）与逆变器组件。
6. 大功率LED驱动器中实现高效功率传输。
IRF7842TRPBF, FDP17N60C, STP90NF06L
