时间：2025/7/3 9:09:42
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HMK316B7474KL-T 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高效率的特点。该器件适用于各种开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用领域，能够有效降低系统功耗并提升整体性能。
其封装形式为 TO-252（DPAK），具备出色的散热性能，同时支持表面贴装技术，便于自动化生产。
类型：MOSFET
极性：N-Channel
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：40A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ
总栅极电荷(Qg)：80nC
输入电容(Ciss)：3000pF
工作温度范围：-55℃ to +175℃
HMK316B7474KL-T 的主要特点是低导通电阻，仅为 4.5mΩ，这使得其在大电流应用中表现出色，显著降低了功率损耗。
此外，该器件具有快速开关速度和较低的栅极电荷，从而提高了效率并减少了电磁干扰(EMI)问题。
由于采用了 DPAK 封装，芯片具备优秀的热传导性能，可以轻松应对高功率应用场景。
同时，这款 MOSFET 支持宽泛的工作温度范围(-55℃ to +175℃)，适合工业及汽车级环境下的使用需求。
HMK316B7474KL-T 广泛应用于多个领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC 转换器的高端或低端开关。
3. 电动工具和家用电器的电机驱动控制。
4. 汽车电子系统的负载切换与保护。
5. 太阳能逆变器中的功率管理模块。
6. 各类电池管理系统(BMS)中的充放电控制电路。
HMK316B7474KL-S, IRFZ44N, FDP5800
