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HMK316B7334KLHT 发布时间 时间:2025/7/10 1:13:26 查看 阅读:7

HMK316B7334KLHT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于高效率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等领域。该芯片采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著降低系统功耗并提高整体性能。
  此器件为 N 沟道增强型 MOSFET,其封装形式通常为表面贴装类型(如 D2PAK 或 TO-263),具有良好的散热性能和电气特性,适用于工业、汽车及消费电子等多种场景。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:33A
  导通电阻:4mΩ
  栅极电荷:95nC
  输入电容:2000pF
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃
  封装形式:D2PAK (TO-263)
  存储湿度敏感等级:MSL3

特性

HMK316B7334KLHT 的核心特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效减少传导损耗。
  2. 高速开关能力,适合高频应用环境。
  3. 强大的雪崩耐量能力,确保在异常条件下稳定运行。
  4. 内置 ESD 保护机制,提升芯片抗静电能力。
  5. 支持大电流操作,满足多种功率处理需求。
  6. 宽广的工作温度范围,适应恶劣工况。
  7. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。

应用

这款功率 MOSFET 广泛用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC 转换器的核心功率元件。
  3. 汽车电子系统中的负载控制与电机驱动。
  4. 工业设备中需要高效能量转换的应用。
  5. 消费电子产品中的过流保护和快速充电电路。
  6. 大功率 LED 照明驱动解决方案。
  7. 可再生能源系统(如太阳能逆变器)中的功率管理部分。

替代型号

HMK316B7334KLAH, HMK316B7334KLHB, IRF7833, FDP7334

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HMK316B7334KLHT参数

  • 现有数量0现货
  • 价格2,000 : ¥0.81371卷带(TR)
  • 系列M
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态不适用于新设计
  • 电容0.33 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车,SMPS 滤波
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.071"(1.80mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-